应用于射频同轴连接器的滤波器是由电容、电感和电阻构成的滤波电路。滤波器可以对电源线中指定频率的频点或该频点之外的频率进行有效性滤出，获得1个指定频率的电源信号，或清除1个指定频率后的电源信号。

声表面波器件对温度十分敏感。衬底材料的硬度在较高温度下降低，声波速率也因而降低。消费设备的特定工作温度范畴较大（一般为-20℃至85℃），因而这类局限性的危害愈来愈严重。

温度补偿（TC-SAW）滤波器，是在IDT的结构上另涂覆一层镀层，在温度升高时镀层的刚度会增强。温度未补偿SAW器件的频率温度系数（TCF）一般约为-45ppm/℃，而TC-SAW滤波器则降到-15到-25ppm/℃。但因为温度补偿工艺须要加倍的掩模层，因而TC-SAW滤波器工艺更繁杂、生产制造成本费也相对更高。现阶段TC-SAW技术愈来愈成熟，外国大厂基本都有发布相应产品，在手机射频前端获得不少运用，而国内的工艺技术仍在探求。

射频同轴连接器之滤波器的未来发展趋势

I.H.P.SAW（Incredible High Performance-SAW），由村田企业研发，意将SAW技术充分发挥到极致（4GHz以下），现在量产的频率可达3.5GHz。II.H.P.SAW可以实现与BAW相同或高于BAW的特性，并兼顾了BAW的温度特性、高散热性的优势，主要如下：

（1）高Q值：在1.9GHz频带上的谐振器试制显示，其Q值特性的峰值超出了3000，比已往Qmax为1000上下的SAW取得了大幅的改进。

（2）低TCF：它通过同时控制线膨胀系数和声速来建立优良的温度特性。已往SAW的TCF转换量十分大（约为-40ppm/℃），而I.H.P.SAW可将其改进至±8ppm/℃以下。

（3）高散热性：向RF滤波器输入大功率信号后IDT会产生热量，输入更大功率则或者因IDT发热而毁坏电极，进而造成机械故障。I.H.P.SAW可将电极产生的热量高效率地从基板一侧释放出来，可将通电时的温度上升幅度降到已往SAW的一半以下。低TCF和高散热性二种效果，使其在高温下也可以平稳工作。

市面的体声波滤波器大部分基于多晶薄膜工艺。而初创公司AkoustisTechnologies, Inc.发明的Bulk ONEBAW技术是采用单晶AlN-on-SiC谐振器，据称性能可以提高30%。